SCT20N120
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
部品番号
SCT20N120
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
動作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
HiP247™
消費電力(最大)
175W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
290 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
45nC @ 20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
650pF @ 400V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
20V
Vgs (最大)
+25V, -10V
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