SCT2120AFC
MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
部品番号
SCT2120AFC
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
消費電力(最大)
165W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
156 mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 3.3mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
61nC @ 18V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1200pF @ 500V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
18V
Vgs (最大)
+22V, -6V
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