SCT2160KEC
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
部品番号
SCT2160KEC
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247
消費電力(最大)
165W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
208 mOhm @ 7A, 18V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 2.5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
62nC @ 18V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1200pF @ 800V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
18V
Vgs (最大)
+22V, -6V
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