SCT2080KEC
MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
部品番号
SCT2080KEC
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247
消費電力(最大)
262W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
117 mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 4.4mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
106nC @ 18V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2080pF @ 800V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
18V
Vgs (最大)
+22V, -6V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 15428 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード SCT2080KEC
SCT2080KEC 電子部品
SCT2080KEC 売上
SCT2080KEC サプライヤー
SCT2080KEC ディストリビュータ
SCT2080KEC データテーブル
SCT2080KECの写真
SCT2080KEC 価格
SCT2080KEC オファー
SCT2080KEC 最安値
SCT2080KEC 検索
SCT2080KEC を購入中
SCT2080KEC チップ