Vishay Siliconix SIHD3N50D-E3 MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK を購入

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SIHD3N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

部品番号

SIHD3N50D-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ

D-PAK (TO-252AA)

消費電力(最大)

69W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

500V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

3.2 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

12nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

175pF @ 100V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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