Vishay Siliconix SIHD2N80E-GE3 MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK を購入

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DataSheets

SIHD2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

部品番号

SIHD2N80E-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Digi-Reel®

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ

D-PAK (TO-252AA)

消費電力(最大)

62.5W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

800V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2.8A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

2.75 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

19.6nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

315pF @ 100V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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