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SIHD180N60E-GE3

SIHD180N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V DPAK (TO-25
部品番号
SIHD180N60E-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
E
部品のステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
消費電力(最大)
156W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
32nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1080pF @ 100V
Vgs (最大)
±30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
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