VQ1006P
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
部品番号
VQ1006P
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
-
パワー - 最大
2W
サプライヤーデバイスパッケージ
14-DIP
FETタイプ
4 N-Channel
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
90V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
400mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
60pF @ 25V
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