Vishay Siliconix VQ1001P-E3 MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP を購入

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VQ1001P-E3

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

部品番号

VQ1001P-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

部品のステータス

Obsolete

包装

Tube

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

パワー - 最大

サプライヤーデバイスパッケージ

14-DIP

FETタイプ

4 N-Channel

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

830mA

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

1.75 Ohm @ 200mA, 5V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

110pF @ 15V

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