Vishay Siliconix SISS70DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 125V を購入

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DataSheets

SISS70DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 125V

部品番号

SISS70DN-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® 1212-8S

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 1212-8S

消費電力(最大)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

125V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

8.5A (Ta), 31A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

29.8 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

15.3nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

535pF @ 62.5V

Vgs (最大)

±20V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

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