Vishay Siliconix SISS02DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212- を購入

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SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

部品番号

SISS02DN-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET® Gen IV

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® 1212-8S

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 1212-8S

消費電力(最大)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

25V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

51A (Ta), 80A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

1.2 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

83nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

4450pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

+16V, -12V

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