Vishay Siliconix SISS06DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212 を購入

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SISS06DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

部品番号

SISS06DN-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET® Gen IV

部品のステータス

Active

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® 1212-8S

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 1212-8S

消費電力(最大)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

77nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

3660pF @ 15V

Vgs (最大)

+20V, -16V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

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