Vishay Siliconix SI3812DV-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP を購入

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SI3812DV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

部品番号

SI3812DV-T1-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

LITTLE FOOT®

部品のステータス

Obsolete

包装

Digi-Reel®

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

サプライヤーデバイスパッケージ

6-TSOP

消費電力(最大)

830mW (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

Schottky Diode (Isolated)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

125 mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

600mV @ 250µA (Min)

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

4nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

2.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±12V

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