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SI3805DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
パッケージ・ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
消費電力(最大)
1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
FETの特徴
Schottky Diode (Isolated)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
84 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
12nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
330pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 10V
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