Vishay Siliconix IRLD110PBF MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP を購入

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IRLD110PBF

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

部品番号

IRLD110PBF

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

4-DIP (0.300", 7.62mm)

サプライヤーデバイスパッケージ

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

消費電力(最大)

1.3W (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

1A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

540 mOhm @ 600mA, 5V

Vgs(th) (最大) @ ID

2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

6.1nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

250pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4V, 5V

Vgs (最大)

±10V

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