IRLD110
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
部品番号
IRLD110
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
4-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤーデバイスパッケージ
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
消費電力(最大)
1.3W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
540 mOhm @ 600mA, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6.1nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
250pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4V, 5V
Vgs (最大)
±10V
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