TP65H050WS
MOSFET N-CH 650V 34A TO247-3
部品番号
TP65H050WS
メーカー/ブランド
部品のステータス
Active
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3
消費電力(最大)
119W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.8V @ 700µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
24nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1000pF @ 400V
Vgs (最大)
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
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