画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
TP65H035WS
MOSFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
41 mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.8V @ 700µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
36nC @ 8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1500pF @ 400V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
8V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、
送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、
[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 10178 PCS