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NVMD6P02R2G
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
部品番号
NVMD6P02R2G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
750mW
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.8A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
35nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1700pF @ 16V
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