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NVMD6N03R2G
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
部品番号
NVMD6N03R2G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
1.29W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
30nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
950pF @ 24V
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