ON Semiconductor HGTD3N60C3S9A IGBT 600V 6A 33W TO252AA を購入

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HGTD3N60C3S9A

IGBT 600V 6A 33W TO252AA

部品番号

HGTD3N60C3S9A

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

入力方式

Standard

動作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

パワー - 最大

33W

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-252AA

逆回復時間 (trr)

電流 - コレクタ (Ic) (最大)

電圧 - コレクタエミッタブレイクダウン (最大)

600V

IGBTの種類

Vce(on) (最大) @ Vge、Ic

2V @ 15V, 3A

電流 - コレクタパルス (Icm)

24A

スイッチングエネルギー

85µJ (on), 245µJ (off)

ゲートチャージ

10.8nC

Td (オン/オフ) @ 25°C

試験条件

480V, 3A, 82 Ohm, 15V

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