ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA を購入

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HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

部品番号

HGTD1N120BNS9A

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

入力方式

Standard

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

パワー - 最大

60W

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-252AA

逆回復時間 (trr)

電流 - コレクタ (Ic) (最大)

5.3A

電圧 - コレクタエミッタブレイクダウン (最大)

1200V

IGBTの種類

NPT

Vce(on) (最大) @ Vge、Ic

2.9V @ 15V, 1A

電流 - コレクタパルス (Icm)

スイッチングエネルギー

70µJ (on), 90µJ (off)

ゲートチャージ

14nC

Td (オン/オフ) @ 25°C

15ns/67ns

試験条件

960V, 1A, 82 Ohm, 15V

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