IXYS IXFN100N10S2 MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B を購入

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IXFN100N10S2

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

部品番号

IXFN100N10S2

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

HiPerFET™

部品のステータス

Obsolete

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Chassis Mount

パッケージ・ケース

SOT-227-4, miniBLOC

サプライヤーデバイスパッケージ

SOT-227B

消費電力(最大)

360W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

15 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 4mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

180nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

4500pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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