IRF1010EL
MOSFET N-CH 60V 84A TO-262
部品番号
IRF1010EL
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-262
消費電力(最大)
200W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
84A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
12 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
130nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3210pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 10424 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRF1010EL
IRF1010EL 電子部品
IRF1010EL 売上
IRF1010EL サプライヤー
IRF1010EL ディストリビュータ
IRF1010EL データテーブル
IRF1010ELの写真
IRF1010EL 価格
IRF1010EL オファー
IRF1010EL 最安値
IRF1010EL 検索
IRF1010EL を購入中
IRF1010EL チップ