IRF100P218XKMA1
TRENCH_MOSFETS
部品番号
IRF100P218XKMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
StrongIRFET™
部品のステータス
Active
包装
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247AC
消費電力(最大)
556W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.28 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.8V @ 278µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
555nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
25000pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
6V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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