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BSB165N15NZ3GXUMA1

BSB165N15NZ3GXUMA1

MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
部品番号
BSB165N15NZ3GXUMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
3-WDSON
サプライヤーデバイスパッケージ
MG-WDSON-2, CanPAK M™
消費電力(最大)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
150V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9A (Ta), 45A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
16.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 110µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
35nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2800pF @ 75V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
8V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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