BSB104N08NP3GXUSA1
MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
部品番号
BSB104N08NP3GXUSA1
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
3-WDSON
サプライヤーデバイスパッケージ
MG-WDSON-2, CanPAK M™
消費電力(最大)
2.8W (Ta), 42W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
80V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13A (Ta), 50A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 40µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
31nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2100pF @ 40V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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