AGM-Semi (core control source)
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AGM403DG
AGM403DG
部品番号
AGM403DG
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
カプセル化
TO-252
パッキング
taping
パッケージの数
2500
説明
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 101A Power (Pd): 28W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 2.3mΩ@10V, 20A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 13.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.842nF@20V, Vds=40v Id=101A Rds=2.3mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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