AGM-Semi (core control source)
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AGM402C
N-channel 40V 170A 2.3mΩ
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
説明
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 170A Power (Pd): 250W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 2.3mΩ@ 10V, 40A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 73nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.14nF@20V , Vds=40V Id=170A Rds =2.3mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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