Vishay Siliconix SUD35N10-26P-E3 MOSFET N-CH 100V 35A TO252 を購入

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SUD35N10-26P-E3

MOSFET N-CH 100V 35A TO252

部品番号

SUD35N10-26P-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-252

消費電力(最大)

8.3W (Ta), 83W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

26 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

47nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

2000pF @ 12V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

7V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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