SQJ560EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
部品番号
SQJ560EP-T1_GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品のステータス
Active
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® SO-8 Dual
パワー - 最大
34W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8 Dual
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
30A (Tc), 18A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
30nC @ 10V, 45nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1650pF @ 25V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 21664 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード SQJ560EP-T1_GE3
SQJ560EP-T1_GE3 電子部品
SQJ560EP-T1_GE3 売上
SQJ560EP-T1_GE3 サプライヤー
SQJ560EP-T1_GE3 ディストリビュータ
SQJ560EP-T1_GE3 データテーブル
SQJ560EP-T1_GE3の写真
SQJ560EP-T1_GE3 価格
SQJ560EP-T1_GE3 オファー
SQJ560EP-T1_GE3 最安値
SQJ560EP-T1_GE3 検索
SQJ560EP-T1_GE3 を購入中
SQJ560EP-T1_GE3 チップ