Vishay Siliconix SQJ262EP-T1_GE3 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

SQJ262EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

部品番号

SQJ262EP-T1_GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SO-8 Dual

パワー - 最大

27W (Tc), 48W (Tc)

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

15A (Tc), 40A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

10nC @ 10V, 23nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

550pF @ 25V, 1260pF @ 25V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 28654 PCS

連絡先

関連製品

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO