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SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3

MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
部品番号
SQJ204EP-T1_GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品のステータス
Active
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® SO-8 Dual
パワー - 最大
27W (Tc), 48W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
20nC @ 10V, 50nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
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