Vishay Siliconix SQD40061EL_GE3 MOSFET P-CHAN 40V を購入

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DataSheets

SQD40061EL_GE3

MOSFET P-CHAN 40V

部品番号

SQD40061EL_GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-252AA

消費電力(最大)

107W (Tc)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

40V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

5.1 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

280nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

14500pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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