Vishay Siliconix SIZF300DT-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

部品番号

SIZF300DT-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET® Gen IV

部品のステータス

Active

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerWDFN

パワー - 最大

3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)

サプライヤーデバイスパッケージ

8-PowerPair® (6x5)

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

22nC @ 10V, 62nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 30669 PCS

連絡先

関連製品

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3