Vishay Siliconix SIZ900DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR を購入

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DataSheets

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

部品番号

SIZ900DT-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

6-PowerPair™

パワー - 最大

48W, 100W

サプライヤーデバイスパッケージ

6-PowerPair™

FETタイプ

2 N-Channel (Half Bridge)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

24A, 28A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

7.2 mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

45nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1830pF @ 15V

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