SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
部品番号
SIZ200DT-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET® Gen IV
部品のステータス
Active
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerWDFN
パワー - 最大
4.3W (Ta), 33W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PowerPair® (3.3x3.3)
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
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