SISF00DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
部品番号
SISF00DN-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET® Gen IV
部品のステータス
Active
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® 1212-8SCD
パワー - 最大
69.4W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8SCD
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
53nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2700pF @ 15V
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