SISB46DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
部品番号
SISB46DN-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® 1212-8 Dual
パワー - 最大
23W
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8 Dual
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
11.71 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1100pF @ 20V
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