Vishay Siliconix SIR770DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 を購入

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DataSheets

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

部品番号

SIR770DP-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SO-8 Dual

パワー - 最大

17.8W

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SO-8 Dual

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

21 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.8V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

21nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

900pF @ 15V

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