SIR104DP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
部品番号
SIR104DP-T1-RE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET® Gen IV
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® SO-8
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
消費電力(最大)
5.4W (Ta), 100W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
6.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
84nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4230pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
7.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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