SIJ186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
部品番号
SIJ186DP-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET® Gen IV
部品のステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® SO-8
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
消費電力(最大)
5W (Ta), 57W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.6V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
37nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1710pF @ 30V
Vgs (最大)
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
6V, 10V
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