Vishay Siliconix SIHH11N60EF-T1-GE3 MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8 を購入

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SIHH11N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8

部品番号

SIHH11N60EF-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerTDFN

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 8 x 8

消費電力(最大)

114W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

600V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

357 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

62nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1078pF @ 100V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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