Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

SIHG33N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

部品番号

SIHG33N65E-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

部品のステータス

Active

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-247-3

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-247AC

消費電力(最大)

313W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

650V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

32.4A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

105 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

173nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

4040pF @ 100V

Vgs (最大)

±30V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 29673 PCS

連絡先

関連製品

MOSFET E SERIES 600V TO247AC