Vishay Siliconix SIHG050N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V を購入

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SIHG050N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V

部品番号

SIHG050N60E-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

部品のステータス

Active

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-247-3

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-247AC

消費電力(最大)

278W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

600V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

51A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

50 mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

130nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

3459pF @ 100V

Vgs (最大)

±30V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

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