SIF912EDZ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
部品番号
SIF912EDZ-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® 2x5
パワー - 最大
1.6W
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® (2x5)
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
7.4A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
19 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
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