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SIA921EDJ-T1-GE3

SIA921EDJ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
部品番号
SIA921EDJ-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® SC-70-6 Dual
パワー - 最大
7.8W
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SC-70-6 Dual
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.5A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
59 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
23nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
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