Vishay Siliconix SIA910EDJ-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6 を購入

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SIA910EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6

部品番号

SIA910EDJ-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SC-70-6 Dual

パワー - 最大

7.8W

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SC-70-6 Dual

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

12V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

4.5A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

28 mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

16nC @ 8V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

455pF @ 6V

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