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SI9435BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
42 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
24nC @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
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