Vishay Siliconix SI9407BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

SI9407BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC

部品番号

SI9407BDY-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Digi-Reel®

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

サプライヤーデバイスパッケージ

8-SO

消費電力(最大)

2.4W (Ta), 5W (Tc)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

4.7A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

120 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

22nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

600pF @ 30V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 39852 PCS

連絡先

関連製品

SI9407BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC